Opis stanowiska
Kandydat powinien posiadać stopień naukowy doktora w dyscyplinie elektronika oraz kompetencje w zakresie mikroelektroniki.
W szczególności wymagana jest znajomość podstaw fizycznych mikroelektroniki w stopniu umożliwiającym włączenie się w prace badawcze nad rozwojem nowatorskich konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych w technologiach submikrometrowych oraz optymalizacji funkcjonalnej i parametrycznej elementów i układów elektronicznych (jak np. rozwiązania wykorzystujące dwie bramki do sterowania tranzystorami, minimalizacja poboru mocy, redukcja szumów, kompensacja wpływu rozrzutów produkcyjnych).
Pożądana jest umiejętność projektowania systemów scalonych, w tym znajomość narzędzi komputerowych wspomagających modelowanie przyrządów półprzewodnikowych (TCAD)
a także systemów CAD do projektowania analogowych i cyfrowych układów scalonych ASIC realizowanych w technologiach MOS.
Przydatne będą kwalifikacje w zakresie analizy i projektowania układów logicznych lub analogowych, algorytmów i struktur danych, zjawisk fizycznych w elementach układów scalonych itp.
Wymagane jest doświadczenie w prowadzeniu zajęć dydaktycznych.
Kandydat powinien posiadać umiejętność pracy w zespole i oprócz biegłego posługiwania się językiem polskim posiadać czynną znajomość języka angielskiego.
Dokumenty należy składać w Sekretariacie Dydaktycznym Mikroelektroniki i Optoelektroniki Gmach im. J. Groszkowskiego, ul. Nowowiejska 15/19, pok. 159, tel. 234-5349. Bliższe informacje: prof. nzw. dr hab. Andrzej Pfitzner, pok. 361 GE, tel. 22-234-7207.